问题：
[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
正确。错误。
问题：
[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
正确。错误。
问题：
[判断题] P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
正确。错误。
问题：
[判断题] 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
正确。错误。
问题：
[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
正确。错误。
问题：
[判断题] 离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。
正确。错误。
问题：
[判断题] 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。
正确。错误。
问题：
[判断题] 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
正确。错误。
问题：
[判断题] 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
正确。错误。
问题：
[判断题] 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
正确。错误。
