问题：
[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
正确。错误。
问题：
[判断题] 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。
正确。错误。
问题：
[判断题] 不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
正确。错误。
问题：
[判断题] 对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
正确。错误。
问题：
[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。
正确。错误。
问题：
[判断题] 刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。
正确。错误。
问题：
[判断题] 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
正确。错误。
问题：
[判断题] 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
正确。错误。
问题：
[判断题] 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。
正确。错误。
问题：
[判断题] 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。
正确。错误。
