问题：
[判断题] 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
正确。错误。
问题：
[判断题] 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
正确。错误。
问题：
[判断题] 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
正确。错误。
问题：
[判断题] 纯净的半导体是一种有用的半导体。
正确。错误。
问题：
[判断题] CD越小，源漏结的掺杂区越深。
正确。错误。
问题：
[判断题] 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
正确。错误。
问题：
[判断题] 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
正确。错误。
问题：
[判断题] 硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
正确。错误。
问题：
[判断题] 热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
正确。错误。
