问题：
[问答题] 在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？
问题：
[问答题] 阐述铜金属化面临的三大问题，如何解决这些问题？
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[问答题] Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
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[问答题] 化学机械平坦化的工作机理是什么？与传统平坦化方法相比，它有哪些优点？
问题：
[问答题] 采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
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[问答题] 为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？
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[问答题] 比较投影掩模版和光学掩模版有何异同？说明采用什么技术形成投影掩模版上的图形？
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[问答题] 在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
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[问答题] 为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？
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[问答题] 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？
