2018年西南大学资源环境学院919工程综合[专业硕士]之电工学-电子技术考研强化五套模拟题
● 摘要
一、综合计算题
1． 试用
（1）（2）
（图1）扩展为：
可附加译码器，集成逻辑门电路，最后画出各自逻辑图。
图1
【答案】（1）用字扩展技术扩展为有3位地址代码的
将8片RAM 接成字数更多的存储器，因为8
片中共有32个字，所以必须给它们编成32个不同的地址。然而每片集成电路上的地址输入端只
给出的地址范围全都0-7, 无法区分4片中同样的地址单元。因此，必须增加两位使地址代码增加到5位，才能得到第三片的
，
第四片的
个地址。如果取第一片的
第二片
输入端只好
4
4片RAM 的低4位地址是相同的，所以接
线时将它们分别并联起来就行了。由于每片RAM 上只有4个地址输入端，所以借用CS 端。图中2线-4线译码器将
的4种编码00、01、10、11分别译成
端，电路图如图2所示
个低电平输出信号，然后用它们分别去控制4片RAM 的
图2
（2）先用位扩展技术扩展为储器通过位扩展的方式可构成每一片的
再用字扩展技术扩展为的存储器，将2片的所有地址线、
用两片的存
分别并联起来。
端作为整个RAM 输入/输出数据端的一位，总的存储容量为每一片存储容量的2倍。
连接电路如图3所示。
图3
2． 现测得放大电路中四只晶体管的三个电极的电位分别为下列各组数值：
试判断晶体管类型、材料及三个管脚分别对应的电极。
【答案】工作在放大状态中的晶体管，发射结应正向偏置、集电结反向偏置，因而处于放大状态中定基极；
硅管的
约为
型。
锗管的
约为
所以与基极电位相差这一数值的那个电
极为发射极，余下一个电极为集电极，并由差值判断是硅管还是锗管；
集电极电位最低的是型，反之为
由此可得题中四只晶体管的类型、材料及管脚分别如下：
型硅管，集电极，基极，发射极
型锗管，发射极，基极，集电极
型锗管，发射极，基极，集电极
型硅管，集电极，发射极，基极
3． 说明图所示电路的名称。计算电路的暂稳时间合理的。
根据计算的
值确定哪一个输入触发信号是
型晶体管
：
型晶体管
可见基极电位总是居中，由此可确
图
【答案】此电路是555定时器构成的单稳态触发器。计算得到暂稳时间
由此可以确定，第二个触发输入符合单稳态触发器对触发信号低电平宽度的要求，即触发信号的低电平宽度要小于暂稳态时间。若采用第一个触发信号，
由于它的低电平宽度达
输出应为高电平。当
大于
所以，暂稳态结束后，触发信号仍然存在。此时，因为触发输入为低电平，555定时器的
时，触发输入变为高电平，输出才变为低电平，此时输出是输入的反
相，该电路不能够完成单稳态触发器的逻辑功能。
4． 已知A 为理想运放，推导出图所示电路的放大电路的增益。
图
【答案】电路为反相输入高阻抗比例运算电路。 由理想运算放大器
可得，P 点的节点电流方程为
理想运算放大器满足“虚短”条件，故有
代入上述节点电流方程，可得放大电路的增益为
5． 图（a ）、（b ）所示电路均由TTL 门构成，试写出应输入A 、B 、C 的
波形；
的表达式，并在图（c ）上画出对
图
【答案】已知OC 门输出端并联实现“线与”逻辑关系，TTL 门输入端对地接入小电阻相当于低电平输入。逻辑函数表达式为
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