问题：
[填空题] 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
问题：
[填空题] 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
问题：
[填空题] 刻蚀剖面指的是（），有两种基本的刻蚀剖面（）刻蚀剖面和（）刻蚀剖面。
问题：
[填空题] 扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。
问题：
[填空题] 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
问题：
[填空题] 扩散是物质的一个基本性质，描述了（）的情况。其发生有两个必要条件（）和（）。
问题：
[填空题] 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。
问题：
[填空题] 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
问题：
[填空题] 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
问题：
[填空题] 集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。
