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问题:

[多选] 下列材料属于N型半导体是()。

硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)。硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)。砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)。砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁。

问题:

[单选] 属于绝缘体的正确答案是()。

金属、石墨、人体、大地。橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷。硅、锗、砷化镓、磷化铟。各种酸、碱、盐的水溶液。

问题:

[单选] 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫():

A、逻辑设计。B、物理设计。C、电路设计。D、系统设计。

问题:

[单选] 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用()

A、盐酸。B、硫酸。C、硝酸。D、氢氟酸。

问题:

[单选] 下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()

A、单基极条图形。B、双基极条图形。C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构。D、梳状结构。

问题:

[单选] 位错的形成原因是()。

位错就是由弹性形变造成的。位错就是由重力造成的。位错就是由范性形变造成的。以上答案都不对。

问题:

[多选] 硅外延生长工艺包括()。

衬底制备。原位HCl腐蚀。生长温度,生长压力,生长速度。尾气的处理。

问题:

[多选] 硅外延片的应用包括()。

二极管和三极管。电力电子器件。大规模集成电路。超大规模集成电路。

问题:

[单选] 离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。

能量。剂量。

问题:

[单选] 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。

能量。剂量。