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问题:

[单选] 多晶硅的生产方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重掺硅废料提纯法4)西门子改良法5)SiCl4法6)气液沉淀法7)流化床法

A、1234。B、123。C、2457。D、4567。

问题:

[单选] 改良西门子法的显著特点不包括()

高能耗。成本低。产量高。质量稳定。

问题:

[单选] 制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括()

A.氧及其相关缺陷。B.参杂浓度。C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质。D.材料中的缺陷密度及其分布。

问题:

[单选] 铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()

头尾料和锅底料中含有的氧。晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧。石墨加热器与坩埚反应引入的氧。外界空气的进入。

问题:

[多选] 铸造多晶硅中氢的主要作用包括()

钝化晶界。钝化错位。钝化电活性杂质。

问题:

[单选] 悬浮区熔的优点不包括()

不需要坩埚。避免了容器污染。更易获得高纯度硅。成本低。

问题:

[单选] CZ法的主要流程工艺顺序正确的是()

A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾。B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾。C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾。D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾。

问题:

[单选] 热处理中氧沉淀的形态不包括()

A.球状沉淀。B.片状沉淀。C.棒状沉淀。D.多面体沉淀。

问题:

[单选] 可用作硅片的研磨材料是()

A.AL2O3。B.MGO。C.BA2O3。D.NACL。

问题:

[单选] 硅片抛光在原理上不可分为()

A.机械抛光法。B.化学抛光法。C.手工抛光法。D.机械--化学抛光法。