问题：
[单选] 载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。
A.漂移。B.隧道。C.扩散。
问题：
[单选] 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
A.EA，。B.ED，。C.EF，。D.Ei。
问题：
[单选] 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
A、施主态。B、受主态。C、电中性。
问题：
[单选] 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
A.比半导体的大。B.比半导体的小。C.与半导体的相等。
问题：
[单选] 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
大于。等于。小于。有效的复合中心。
问题：
[单选] 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
A.变大，变小。B.变小，变大。C.变小，变小。D.变大，变大。
问题：
[单选] 如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
A.施主。B.受主。C.复合中心。D.两性杂质。
问题：
[单选] 在通常情况下，GaN呈（）型结构。
纤锌矿型；。闪锌矿型；。六方对称性；。立方对称性。
问题：
[单选] 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。
A.非平衡载流子浓度成正比；。B.平衡载流子浓度成正比；。C.非平衡载流子浓度成反比；。D.平衡载流子浓度成反比。。
问题：
[单选] 只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。
A.线缺陷。B.面缺陷。C.点缺陷。D.体缺陷。
