A.位错。B.螺旋位错。C.肖特基缺陷。D.层错。
问题：
[单选] 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
A.越高。B.不确定。C.越低。D.不变。
问题：
[单选] 用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A.低于。B.等于或大于。C.大于。
问题：
[单选] 单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）
A.0.786nm。B.0.543nm。C.0.941nm。D.0.543nm。
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；。B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；。C、平衡载流子破坏原来的热平衡；。D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。。
A、位错。B、层错。C、肖特基缺陷。D、螺旋位错。
问题：
[单选] 用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A、低于。B、等于或大于。C、大于。D、小于或等于。
问题：
[单选] 下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）
A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长。B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长。C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长。D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长。
问题：
[单选] 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A、损坏。B、蒸发。C、坩埚污染。D、分凝。
问题：
[单选] 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
A、6。B、2。C、4。D、5。
