问题：
[单选] 对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）
低，好，多。低，好，少。低，差，多。高，好，多。
问题：
[单选] 半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
①②④。①②③④。②③④。③④。
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包。单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包。单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包。单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包。
调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大。调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦。调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减。增大坩埚内径与晶体直径的比值。
问题：
[单选] 如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）
A.加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长。B.加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长。C.加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长。D.加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长。
问题：
[单选] 多晶硅的生产方法主要包含：（）1、SiCl4法2、硅烷法3、流化床法4、西门子改良法5、冶金法6、气液沉淀法7、重掺硅废料提纯法
A.1234。B.123。C.1456。D.4567。
问题：
[单选] 直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
A.3。B.5。C.4。D.2。
问题：
[单选] 正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包。B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包。C.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包。D.单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包。
问题：
[单选] 那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A.分凝。B.蒸发。C.坩埚污染。D.损坏。
