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问题：

[单选] 列多晶硅生长过程中需要通入氩气做保护气的是（）.

加热。化料。晶体生长。冷却。

参考答案

问题：

[单选] 下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。

布里曼法。热交换法。电磁铸锭法。浇铸法。

参考答案

问题：

[单选] 测量硅中氧浓度常用的方法是（）.

带电粒子活化法。熔化分析法。离子质谱法。红外光谱分析法。

参考答案

问题：

[单选] 制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.

汽-固。液-固。固-固。汽-液。

参考答案

问题：

[单选] 当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.

上升。下降。不变。不确定。

参考答案

问题：

[单选] 正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）.

A、能。B、不能。C、不确定。D、有时可以，有时不可以。

参考答案

问题：

[问答题,简答题] 一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么？

参考答案

问题：

[问答题,简答题] 按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？

参考答案

问题：

[问答题,简答题] 外延工艺按方法可分为哪些？

参考答案

问题：

[问答题,简答题] Wafer的中文含义是什么？目前常用的材料有哪两种？

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