问题：
[问答题,简答题] 为什么电化学腐蚀会产生电位差？它的原因是什么？
问题：
[问答题,简答题] X射线衍射与光反射的区别？
问题：
[问答题,简答题] 从微观上看，漩涡缺陷与错位缺陷有什么区别？
问题：
[问答题,简答题] 用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？
问题：
[单选] 如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
1/（NA-ND.eｕp。1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.e。1/（NA+ND.eｕp。
问题：
[单选] 固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。
A、300。B、400。C、500。D、600。
问题：
[单选] 硅的晶格结构和能带结构分别是（）.
金刚石型和直接禁带型。闪锌矿型和直接禁带型。金刚石型和间接禁带型。闪锌矿型和间接禁带型。
问题：
[单选] 通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。
A、温度场。B、磁场。C、重力场。D、电场。
问题：
[单选] 尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（）。
A、形状太凹。B、形状太凸。C、过于平整。D、无变化。
问题：
[单选] 下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。
A、氧。B、硼。C、温度。D、湿度。
