● 摘要
集成电路装备业是集成电路产业链中技术难度最大、产业集中度最高的环节。随着制造工艺技术的发展，除了须满足当前先进工艺要求外，先进装备企业正在研发更大尺寸(18英寸)、超细线宽(20nm以下)等下一代工艺设备，以巩固市场领先地位。当前，集成电路装备业并购重组活跃，产业集中度进一步提升，如光刻机、刻蚀机、立式氧化扩散炉等关键装备基本上被少数几家国际大企业垄断。
本文将以对芯片制造过程中的氧化膜成膜过程中Particle的有效控制为目标，通过硬件优化(机械手Pad的更换、Loading Area中过滤器侧加入光亮网孔板、Loading Area中运动部件－Elevator、Shutter和Foup Door Opener等优化)、软件优化(石英舟旋转控制程序优化)及工艺条件优化(延长Wafer Cooling时间和出舟步骤)等方法，以达到抑制机台产生Particle的目的。通过以上几个方面的优化，解决了机台颗粒超标的问题并显著提高了生产线上的产品合格率，本文以1％的提升为目标进行优化。