2017年西南大学电子技术基础(模拟、数字)(同等学力加试)之电子技术基础-模拟部分复试仿真模拟三套题
● 摘要
一、简答题
1． 电路如图所示。
（1）将图中A 、B 、C 和D 四点正确连接，使之成为一个正弦波振荡电路； （2）计算该电路的振荡频率（3）为保证电路起振，
； 应为多大？
图
【答案】RC 串并联选频网络可构成正反馈从而形成正弦波振荡。 （1）由分析可以得到，D-A 连接，C-B 连接。
（2）电路的振荡频率由选频网络的特征频率决定，选频网络是RC 的串并联结构，得
（3）欲使振荡电路自行建立振荡，一开始必须满足
由于选频网络的反馈系数F=1/3,
2． 已知某共射放大电路的波特图如图所示，试写出的表达式。
根据以上给出的限制条件，有A ＞3。该増益由闭环放大电路提供，因此
图
【答案】共射电路在中频带的相移为
由波特图可看出中频放大倍数为100，故电压放大
倍数：下限频率为1Hz 和10Hz , 上限频率为250kHz 。
3 并联谐振电路如图（a ）所示。已知线圈电感量．
（1）求谐振频率
（2）采用部分接入方法，如图（b ）所5频带
损耗电阻
#
， 和通
，谐振电阻，空载和有载的品质因数 ，空载和有载的带宽BW 。
，求此时电路的有载品质因数
图
【答案】根据题意可得: （1）
计算表明，Q 值越高，通频带越窄。 （2）
计算表明，采用部分接入方法，可提高回路Q 值，但使通频带下降。
4． 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图1所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图1
【答案】对于放大状态的NPN 管，管满足
极电压，且对于硅管，
两者之间电压为以得出每个管子的型号，如图2所示。
满足集电极电压最高，基极电压次之；而PNP 对于锗管，
两者之间电压为
左右。由此可
射极电压最高，基极电压次之。两个相差比较小的电压分别是基极和发射
图2