2017年扬州大学0904电子技术基础之电子技术基础-数字部分复试仿真模拟三套题
● 摘要
目录
2017年扬州大学0904电子技术基础之电子技术基础-数字部分复试仿真模拟三套题（一） ... 2 2017年扬州大学0904电子技术基础之电子技术基础-数字部分复试仿真模拟三套题（二） ... 8 2017年扬州大学0904电子技术基础之电子技术基础-数字部分复试仿真模拟三套题（三） . 17
一、简答题
1． 七段数码显示器中b 段的译码电路如图 （a ）所示。试分析使b 段发亮的态。
的各种状
图（a ）
【答案】（1）由图（a ）得译码输出b 的逻辑表达式
（2）画出b 的卡诺图，如图（b ）所示。 （3）由卡诺图可知，当亮。
时b 段
图（b ）
2． 由主从JK 触发器和555定时器组成的电路如图1 （a ）所示。已知CP 为10Hz 的方波，如图1（b ）所示。初态为0。
触发器的Q 端及555输出端
（b ） 图1
（1）试画出Q 端，
相对于CP 脉冲的波形（图1（b ））。
组成微分电路，555组成单稳态电路。
电路微分后产正方波输出，正
（2）试求Q 端输出波形的周期。
【答案】（1）由图1知，触发器接成T 触发器，稳态时555输出方波宽度
所以Q 、
波形如图2所示。
=0V，触发器的T=l，所以CP 脉冲到达后触发器翻转，经
生正负尖顶脉冲，但正尖顶脉冲被二极管D 限掉，负尖顶脉冲触发单稳态产生
图2
（2）Q 波形周期
3． 将四进制数312.32转换成五进制数，再将十进制数转换成五进制数。
【答案】先将四进制数转换成十进制数，再将十进制数转换成五进制数。
4． 微型计算机的存储器常用的有SRAM 和DRAM 两种，请解释一下这两种存储器在结构和操作上有什么不同，分别用在什么地方？
【答案】SRAM 速度快，结构复杂，功耗大，静态存储单元是在SR 锁存器的基础上附加门控管而构成的，靠锁存器的自保功能存储数据的。SRAM 用于速度需要快的地方，如CACHE 。
DRAM 速度较慢，结构简单，功耗低，利用MOS 管栅极电容可以存储电荷的原理制成。存 储单元的结构能做得非常简单；需要两次地址给出和动态刷新；用于大量存储器的地方，如内存。
5． 用图表 （a ）所示双4选1数据选择器CT4135实现一位全加器。
（a ）
（b ）
表 （a ） C T4135的功能表
【答案】设A 为被加数，B 为加数，为进位输入，器的真值表如表（b ）所列。
为进位输出，Y 为和。则可列出全加
表（b ） CT4135的功能表