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2017年武汉轻工大学电气与电子工程学院808电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟题

  摘要

一、分析计算题

1. 电路如图所示,

已知各管调制系数

试分别求出各管的沟道宽度

沟道长度

沟道长度

【答案】由于各增强型MOSFET 的阈值电压管偏置电流

得到

根据电阻比的关系,可得到

则有

2. 图1所示电路为耗尽型场效应管的自给偏压放大电路,设场效应管的夹断电压漏极电流

各电容的容抗均可忽略。

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为2V , 满足的电路导通条件,并且

各MOS 管一定工作在饱和导通工作区,由于串联支路电流连续,其导通电阻比为

饱和

(1)求静态工作点和跨导;

(2)画出微变等效电路,并求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。 (3)若

重复(2)的计算。

1

图2

【答案】(1)静态工作点: 耗尽型MOS 管的转移特性为:

由此解得

(其中舍去

由KVL 方程:

可得

(2)放大电路的微变等效电路如图2(a )所示(被旁路)

输入电阻输出电阻

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, )

(3)断开时,放大电路的微变等效电路如图2(b )所示

输入电阻、输出电阻不变。

3. 有源负载差动放大电路如图所示。其中和

PNP 管的

(1)求各管的静态集电极电流(2)求

(3)求差模电压增益

各管的

和和。

配对,NPN

管的

差模输入电阻和差模输出电阻

【答案】由图示回路可知: (1)

(2)

(3)图是有源负载的差动放大电路。即

组成镜像电流源作

和的有源负载。此电路的

特点是单端输出时具有双端输出的差模电压増益。

可先画出交流等效电路,其中电流源在差模放大的条件下等效为断路。

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