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问题:

[单选] 下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是()

A . A.缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小
B . B.在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响
C . C.交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
D . D.在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响;
E . E.除A以外都对

下列关于磁粉探伤的叙述,正确的是() A、切断磁化电流后施加磁悬液的方法叫作剩磁法。 B、高矫顽力材料制成的零件可以用剩磁法探伤。 C、荧光磁粉与非荧光磁粉相比,一般说前者的磁悬液浓度要低。 D、以上都对。 下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的() A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大。 B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比。 C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱。 D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化。 可编程序控制器有哪些主要功能? 工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场() A、与磁化电流的大小无关。 B、与磁化电流的大小有关。 C、当缺陷方向与磁化场方向之间的夹角为零时,漏磁场最大。 D、与工件的材料性质无关。 下列关于漏磁场的叙述中,正确的是() A.缺陷方向与磁力线平行时,漏磁场最大。 B.漏磁场的大小与工件的磁化程度无关。 C.漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关。 D.工件表层下,缺陷所产生的漏磁场,随缺陷的埋藏深度增加而增大。 下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是()
参考答案:

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