带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（） A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小。 B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响。 C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小。 D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；。 E．除A以外都对。
直流正、负极接地对运行有哪些危害？
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的 A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关。 B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小。 C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响。 D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小。 E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响。 F、c，d和e都对。
磁路基尔霍夫定律的含义是什么？
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）
