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下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（） A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小。 B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响。 C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小。 D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；。 E．除A以外都对。
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（） A、它与试件上的磁通密度有关。 B、它与缺陷的高度有关。 C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大。 D、以上都对。
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的 A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关。 B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小。 C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响。 D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小。 E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响。 F、c，d和e都对。
工件磁化后表面缺陷形成的漏磁场（）
