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题目:典型电子元器件加速贮存寿命试验研究

关键词:加速贮存寿命试验, 肖特基二极管, 开关二极管, 伪寿命, 退化模型, 假设检验

  摘要



本文以肖特基二极管(1N5822)和开关二极管(1N4148)在贮存状态下的性能退化模型为研究对象,对其进行了一定方法的验证。具体研究内容如下:

首先,对国内外二极管贮存可靠性的研究现状及性能退化验证方法的研究现状进行了分析。

其次,通过设计加速寿命试验,对二极管进行了贮存试验,且记录退化数据。

再次,将得到的数据用最小二乘法进行拟合,建立退化模型;并采用一定的算法(Topsis法)选取与性能退化数据最接近的退化轨迹模型;之后结合退化轨迹模型推算其伪寿命;最后利用Kolmogorov-Smirnov假设检验估算元器件的伪寿命分布。

通过本验证试验的研究,为同类器件及其它类器件的可靠性模型验证方法提供了借鉴,同时也可以为进一步认识具体电子元器件的故障规律提供了依据。