当前位置:半导体芯片制造工题库>半导体制造技术题库

问题:

[问答题,论述题] 什么是离子分布的偏斜度和峭度,和标准高斯分布有什么区别?

问题:

[问答题,论述题] 热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。

问题:

[问答题,论述题] 什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?

问题:

[问答题,论述题] 什么是固相外延(SPE)及固相外延中存在的问题?

问题:

[问答题,论述题] 简述硼和磷的退火特性。

问题:

[问答题,论述题] 简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温炉管它有什么优势?

问题:

[问答题,论述题] 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

问题:

[问答题,论述题] 对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?

问题:

[问答题,论述题] 物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。

问题:

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?