问题：
[问答题,论述题] 简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
问题：
[问答题,论述题] 简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程，并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制。
问题：
[问答题,论述题] 说明影响氧化速率的因素。
问题：
[问答题,论述题] 简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
问题：
[问答题,简答题] 一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？
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[问答题,论述题] Si-SiO2界面电荷有哪几种？简述其来源及处理办法。
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[问答题,论述题] 下图为一个典型的离子注入系统。（1）给出1~6数字标识部分的名称，简述其作用。（2）阐述部件2的工作原理。
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[问答题,论述题] 离子在靶内运动时，损失能量可分核阻滞和电子阻滞，解释什么是核阻滞、电子阻滞？两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系？
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[问答题,论述题] 采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000，掩蔽膜的厚度应为多少？用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
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[问答题,论述题] 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？
