杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（） A.变大，变小。 B.变小，变大。 C.变小，变小。 D.变大，变大。
丁烯-1脱轻塔开车的步骤（）。 A、进料—升温—排空—回流。 B、进料—排空—升温—回流。 C、进料—回流—排空—升温。 D、进料—升温—回流—排空。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。 大于。 等于。 小于。 有效的复合中心。
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。 A.EA，。 B.ED，。 C.EF，。 D.Ei。
载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。 A.漂移。 B.隧道。 C.扩散。
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）
