2017年上海应用技术学院机械电子工程815电子技术基础考研题库
● 摘要
一、简答题
1． 下面3个卡诺图如图 （a ）（b ）（c ）所示代表3个4变量逻辑的逻辑函数。
（1）用PROM 实现，画出码点矩阵图； （2）用PLA 实现，画出码点矩阵图。 【答案】（1）写出逻辑函数的最小项形式。
图 卡诺图
用PROM 实现的码点矩阵图如图 （d ）所示。
图 （d ）PROM 点矩阵图
（2）将逻辑函数化简成最简与或式，卡诺图如图（e ）至（g ）所示，得
简化逻辑函数式：
画出逻辑函数式的PLA 阵列图如图 （h ）所示。
图 （h ）卡诺图和PLA 阵列图
2． 微型计算机的存储器常用的有SRAM 和DRAM 两种，请解释一下这两种存储器在结构和操作上有什么不同，分别用在什么地方？
【答案】SRAM 速度快，结构复杂，功耗大，静态存储单元是在SR 锁存器的基础上附加门控管而构成的，靠锁存器的自保功能存储数据的。SRAM 用于速度需要快的地方，如CACHE 。
DRAM 速度较慢，结构简单，功耗低，利用MOS 管栅极电容可以存储电荷的原理制成。存 储单元的结构能做得非常简单；需要两次地址给出和动态刷新；用于大量存储器的地方，如内存。
3． 将二进制数转换成典型的格雷码。
【答案】格雷码的第位
等于二进制码的第位
同第
4． 已知函数F1和F2, 试用卡诺图求函数
【答案】
位的异或，即
并将结果化为最简与或式:
5． 反相器如图所示。已知，管的
（1）（2）
，UBE=0.7V。请问: 为何值时，三极管饱和，
，输出端灌入电流为多大时，三极管脱离饱和？
，设三极
图
【答案】（1）由图可知
若三极管饱和，满足
即
解得（2）当.
所以，当时，
若使三极管脱离饱和，需满足:因此有:故当
、输出端灌入
的电流，三极管可脱离饱和。
时，三极管饱和，输出为低电平。
6． 用异步清零端&和一个与非门（见图（a ））, 用反馈归零法将4位二进制加法计数器接成13进制 计数器，请将线路图连接画出。