2018年湖南大学电气与信息工程学院822电子技术基础一之电子技术基础-模拟部分考研基础五套测试题
● 摘要
一、选择题
1． LC 正弦波振荡电路如图所示，则（ ）。
图
A. 该电路由于无选频网络，不能产生正弦波振荡 B. 该电路由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡 C. 该电路满足振荡条件能产生正弦波振荡
D. 该电路由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡 【答案】D
，使其处于截止状态，放大器不能工作。 【解析】静态条件下，三极管的射极电压为
2． 集成运放的输入级选用差动放大电路的主要原因是（ ）。
A. 减小温漂 B. 提高输入电阻 C. 增大放大倍数 【答案】A
【解析】差动放大电路采用特性相同的管子, 使它们的温漂相互抵消, 用在第一级, 防止温漂被后级放大。
3． 二极管的主要特点是具有（ ）。
A. 电流放大作用 B. 单向导电性 C. 稳压作用
【答案】B
【解析】二极管正向接入时电阻趋于零，相当于短路；反向接入时电阻趋于无穷大，相当于开路，所以二极管的主要特点是具有单向导电性。
4．
测得某晶体管三个电极之间的电压分别为为（ ）。
A.PNP 锗管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.NPN 硅管 【答案】A 【解析】
由
，可判断晶体管为锗管，因为硅管的
，由
知
。晶体管工作在放大状PNP 管
，
，晶体管为PNP 管。
态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置，即NPN 管;
由由题中
知知
5． 下列电路，已知稳压管的稳定电压值
A. 饱和区 B. 放大区 C. 截止区 D. 已损坏
，则此晶体管的类型
，如图所示，试判断该三极管处于（ ）。
图
【答案】B
【解析】可以假设三极管工作在某一状态，然后根据电路判断该假设的正确性。 对本题，假设三极管处于放大区，则发射极正偏，应有且电流为于是有
，
，一般而言，三极管的值在50到200之间，
从而有集电极反偏，假设成立，三极管处于放大区。
6． 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A. 前者反偏，后者也反偏 B. 前者正偏，后者反偏 C. 前者正偏，后者也正偏 【答案】B
【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
二、判断题
7． P 型半导体的少数载流子是空穴。（ ）
【答案】×
【解析】P 型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。
8． BJT 有两种载流子参与导电, MOSFET 只有一种。（ ）
【答案】√
【解析】BJT 有电子和空穴参与导电, MOS 只有电子或空穴参与导电。
9． 判断下列有关电源的说法是否正确。
(1)电容滤波电路适用于负载电流较小且其变化也较小的情况。（ ） (2)电感滤波电路适用于负载电流很小的情况。（ ）
(3)LC滤波电路既适用于负载电流较大的情况，也适用于负载电流较小的情况。（ ） 【答案】(1)×；(2)×；(3)√；
【解析】(1)电容滤波电路适用于小电流负载，但是电容有阻直通交的作用，当电流变化很小或缓慢时可能被阻止；(2)电感滤波电路适用于大电流负载；(3)LC滤波电路适应性较强，能适用于负载电流较大或较小的情况。
10．两者在开关过程中都需要时间, 在同样的工作电流下, BJT 的开关速度快于MOS 。（ ）
【答案】×
【解析】BJT 存在过量少子的存储效应, 开关速度慢。
三、分析计算题
11．某反馈放大电路的方框图如图所示，试推导其闭环增益
的表达式。
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