2018年湖南大学电气与信息工程学院822电子技术基础一之电子技术基础-模拟部分考研核心题库
● 摘要
一、选择题
1． 一个正弦波振荡器的反馈系数为:倍数
必须等于（ ）。 A.4 B. C.1
【答案】A
。
，若该振荡器能够维持稳定振荡，则开环电压放大
【解析】振荡器起振后维持稳定振荡的平衡条件是
2． 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A. 前者反偏，后者也反偏 B. 前者正偏，后者反偏 C. 前者正偏，后者也正偏 【答案】B
【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
3． 由三个参数完全相同的基本放大器级联组成一个多级放大器，不考虑负载效应，设单级时其带宽是1MHz , 则构成的多级放大器带宽（ ）。
A. 小于1MHz B. 大于1MHz C. 等于1MHz D. 以上三个都有可能 【答案】A
【解析】多级放大电路的上限频率与组成它的各放大器的上限频率间存在如下的近似关系:
多级放大电路的下限频率与其各放大器的下限频率之间存在如下的近似关系:
4． 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B , 对同一个具有内阻的信 号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的（ ）。
A. 输入电阻大 B. 输入电阻小 C. 输出电阻大 D. 输出电阻小 【答案】B
【解析】有题可知，输入电阻分压小，得出输入电阻较小。
5．
测得某晶体管三个电极之间的电压分别为为（ ）。
A.PNP 锗管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.NPN 硅管 【答案】A 【解析】
由
，可判断晶体管为锗管，因为硅管的
知
，由
知
。晶体管工作在放大状PNP 管
，
，晶体管为PNP 管。
态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置，即NPN 管;
由由题中
知
6． 选择合适答案填入空内。
A. 电容滤波稳压管稳压电路 B. 电感滤波稳压管稳压电路 C. 电容滤波串联型稳压电路 D. 电感滤波串联型稳压电路
(2)串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ ）。 A. 基准电压 B. 采样电压
C. 基准电压与采样电压之差
(3)开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是（ ）。 A. 调整管工作在开关状态 B. 输出端有LC 滤波电路 C. 可以不用电源变压器
(4)在脉宽调制式串联型开关稳压电路中，为使输出电压增大，对调整管基极控制信号的要求是（ ）。
，则此晶体管的类型
(1)若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A 的直流稳压电源，则应采用（ ）。
A. 周期不变，占空比増大 B. 频率增大，占空比不变
C. 在一个周期内，高电平时间不变，周期增大 【答案】(1)D；(2)C；(3)A；(4)A。
二、判断题
7． 功率放大电路与电流放大电路的区别是
①前者比后者电流放大倍数大；（ ） ②前者比后者效率高；（ ）
③在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。（ ） 【答案】×；√；√
8． BJT 属电压控制型器件, MOSFET 属电流控制型。（ ）
【答案】×
BJT 为电流控制型器件:基极电流控制射极电流, MOS 为电压控制型器件:栅源电压控【解析】
制漏极电流。
9． N 沟道增强型MOSFET 的阈值电压(开启电压) 小于0V 。（ ）
【答案】×
【解析】N 沟道增强型的开启电压。 10．电流并联负反馈(也称“电流-电流负反馈”) 的闭环输出电阻:系
【答案】×
【解析】电流负反馈增大输出电阻，所以两者的关系为:
。
与开环输出电阻满足关
_，其中A 为开环增益，为反馈系数。（ ）
三、分析计算题
11．单电源互补推挽电路如图(a)所示。(1)静态时，A 点电位应为多少？如不满足要求应调节哪个电阻？
(2)设是正弦信号，试定性画出A 点的电压波形和(3)电路中(4)如
. 的作用是什么？电阻
，电容
能否省略？
，试求电路的最大输出功率
.
，晶体管的饱和压降
的波形。