题目：磁控溅射设备制备LED芯片ITO薄膜工艺及其性能的研究

用发光二极管作为下一代照明产品的光源具有节能环保等诸多优点，是当前最具潜力的新兴产业之一，也是各国政府竞相重点扶植的战略性产业。目前，LED技术发展的两个最主要方向分别是提高LED的亮度和降低LED的成本。 LED芯片制备中加入ITO薄膜制备工艺可以提高LED的发光亮度，是获得高亮度LED光源的常用方法之一，也是目前广大LED芯片制造厂商已在LED芯片制备中所采用的。在众多氧化铟锡薄膜制备的方法中，采用溅射设备来进行氧化铟锡薄膜的制作是当今的热门研究，而氧化铟锡薄膜的性能与溅射的功率、基片的温度、氧气流量等制备工艺过程参数有着密切的联系。因此，工艺过程参数的优化研究与确定对得到高性能的氧化铟锡薄膜有着举足轻重的意义。本文采用北方微电子公司iTops LED 氧化铟锡薄膜磁控溅射装置，在硅基底上制作氧化铟锡薄膜，研究了不同基片的温度、氧气的流量及沉积功率对氧化铟锡薄膜的影响，设计正交试验，并找出iTops LED ITO薄膜磁控溅射设备的最优工艺参数。主要结论如下：（1）溅射功率从100W到1000W变化时，随着功率的增大，透过率逐渐减小，方块电阻先减小后增大，因此功率的选择需要在透过率和方块电阻间作一平衡。（2）基片温度从20℃到380℃变化时，随着基片温度的增大，透过率增大趋于平缓，方块电阻减小。（3）氧流量从0sccm到2sccm变化时，随着氧气流量的增加，透过率增大趋于稳定，方块电阻先减小后增大，亦即有一个最佳的氧流量，约是1.0sccm。（4）基片温度为380℃，氧流量为0.5sccm，沉积功率为100W，方块电阻为15.97Ω/口，透过率为99.99%。与目前现有的报道数据相比较，此条件制备的ITO薄膜属于比较优异的。