下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（） ["A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大","B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比","C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱","D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化"]
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下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（） ["A．缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大","B．漏磁场的大小与工件的磁化程度无关","C．漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关","D．工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大"]
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（） ["A、它与试件上的磁通密度有关","B、它与缺陷的高度有关","C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大","D、以上都对"]
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