2017年华中科技大学材料科学与工程学院809材料科学基础之材料科学基础考研导师圈点必考题汇编
● 摘要
一、选择题
1． 位数与致密度及间隙半径之间的关系是（ ）。
A. 配位数越高，致密度越低
B. 配位数越高，致密度越高
C. 配位数越高，间隙半径越大
D. 配位数越高，间隙半径越小
【答案】B
2． 在立方晶系 （001）标准投影图上，A 、B 、C 三晶面同在东经30°的经线大圆弧上，则（ ）。
A. 二晶面同属一晶面族
B. 二晶面和（001）晶面的夹角相等
C. 二晶面同属一晶带
D. 三晶面以坐标原点为对称中心，具有旋转对称性
【答案】C
3． 三条位错线在一节点相交，若有一条
（ ）。
【答案】A
4． 三元系统相图中，若存在有n 条界线，则此系统相图中能连接出（ ）条连线。
A.3
B.n-1
C.n
D.n+1
【答案】C
【解析】三元系统相图中，存在几条界线就能在相图中连接出几条连线。
5． （多选）在石英的相变中，属于重建型相变的是（ ）。
A.
B.
C.
D.
第 2 页，共 30 页 指向该节点，另有两条和背离该节点，则有
【答案】A ；C
6． 在A-B 二元合金中，其共晶合金的强度（ ）其固溶体的强度。
A. 大于
B. 等于
C. 小于
【答案】A
7． （多选）经冷变形的金属随后加热到一定温度将会发生回复再结晶，这是一个（ ）。
A. 低位错密度的晶粒取代高位错密度的晶粒的过程
B. 也是一个形核和长大的过程
C. 是一个典型的固态相变的过程
D. 也是重结晶过程
【答案】AB
8． 点群为
A. 立方
B. 六方
C. 四方
D. 正交
【答案】B 【解析】
9． 在晶体中
，
A. 空位
B. 间隙
C. 掺杂点缺陷
【答案】B
【解析】间隙扩散机制是指处于间隙位置的质点从一间隙位入另一邻近间隙位，必然引起质点周围晶格的变形。
10．高分子的主链结构对单键内旋转有重要影响。下列最易单键内旋转的主链结构是（ ）。
A.Si-0键
B.C-C 键
C.C-0键
【答案】A
第 3 页，共 30 页 的晶体结构属于（ ）晶系。 的晶体结构首位6就是表示该晶体结构为立方晶系。 的扩散是按（ ）机制进行的。
二、名词解释
11．间隙固溶体
【答案】间隙固溶体是指若溶质原子比较小时可以进入溶剂晶格的间隙位置之中而不改变溶剂的晶格类型所形成的固溶体。
12．置换固溶体
【答案】溶质原子占据溶剂晶格中的结点位置而形成的固溶体称置换固溶体。当溶剂和溶质原子直径相差不大，一般在15%以内时，易于形成置换固溶体。铜镍二元合金即形成置换固溶体，镍原子可在铜晶格的任意位置替代铜原子。
13．位错
【答案】位错是指晶体中的一维缺陷或线状缺陷。
14．反应扩散
【答案】反应扩散是通过扩散而形成新相的过程。即在固态扩散的过程中，如果渗入元素在金属中溶解度有限，随着扩散原子增多，当渗入原子的浓度超过饱和溶解度时则形成不同于原相的固溶体或中间相，从而使金属表层分为出现新相和不出现新相的两层的过程。
15．致密度
【答案】致密度是表示晶胞中原子所占的体积与晶胞体积的比值，是衡量原子排列紧密程度的参数，致密度越大，晶体中原子排列越紧密，晶体结构越致密。
三、填空题
16．小角度晶界是相邻两晶粒的位向差_____的晶界，它主要可以分为_____和_____两种，前者是
由_____位错构成，后者是由_____位错构成，小角度晶界的晶界能比大角度晶界的晶界能_____。
【答案】倾斜晶界；扭转晶界；刃型；螺型；小
17．位错的柏氏矢量集中地反映了位错区域内畸变总量的_____和_____。
【答案】大小；方向
18．结晶过程中晶体界面向液相推移的方式被称为_____，与液固界面的微观结构有关。
【答案】晶体长大机制
19．三斜晶体平行六面体晶格常数特征是_____、_____，布氏格子类型为_____。 【答案】简单三斜
20．空间群为Fm3m 的晶体结构属于_____晶族，_____晶系。
【答案】尚级；兑方
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