2017年华中科技大学材料科学与工程学院809材料科学基础之材料科学基础考研强化模拟题
● 摘要
一、选择题
1． 下面关于位错应力场的表述中，正确的是（ ）。
A. 螺型位错的应力场中正应力分量全为零
B. 刃型位错的应力场中正应力分量全为零
C. 刃型位错的应力场中切应力分量全为零
【答案】A
2． 对于金属固溶体，要想获得大的固溶度，考虑尺寸及电负性因素的影响，溶质与溶剂原子应分别满足（ ）。
A. 尺寸相当差小于14%~15%，电负性差小于±0.4
B. 尺寸相当差大于14%~15%，电负性差小于±0.4
C. 尺寸相当差大于14%~15%，电负性差小于±0.4
【答案】A
3． 爱因斯坦模型和德拜模型对于比热问题而言，由于采用的近似条件不同，因而适用的范围也没，实际上，（ ）。
A. 爱因斯坦模型特别描述的是声学声子的贡献，德拜近似更适用于低温
B. 爱因斯坦模型特别描述的是光学声子的贡献，德拜近似更适用于高温
C. 爱因斯坦模型特别描述的是光学声子的贡献，德拜近似更适用于低温
【答案】C
4． 大多数实际材料键合的特点是（ ）。
A. 几种键合形式同时存在
B. 以离子键的形式存在
C. 以金属键的形式存在
【答案】A
5． 高分子材料存在不同构象的主要原因是主链上的碳原子可以（ ）。
A.71键的自旋转
B.cj 键的自旋转
C. 氢键的自旋转
【答案】B
6． 离子化合物中，阳离子比阴离子扩散能力强的原因在于（ ）。
A. 阴离子的半径较大
B. 阳离子更容易形成电荷缺陷
C. 阳离子的原子价与阴离子不同
【答案】A
7． 作为塑料使用的高分子，在室温使用应处在（ ）。
A. 高弹态
B. 玻璃态
C. 黏流态
【答案】B
8． 描述晶体材料（非高分子）的结构时有一套系统的结构参数，但对高分子晶体结构进行描述时，可（ ）。
A. 用高分子晶体的链常特性参数进行描述
B. 用一般晶体材料（非高分子）中使用的同一结构参数描述
C. 用高分子晶体结晶区的形态特点，如缨束状晶区和折叠链晶区的多少进行描述
【答案】B
9． —组数称为晶向指数，它是用来表示（ ）。
A. 所有相互垂直的晶面的方向
B. 所有相互垂直的晶向
C. 所有相互平行、方向一致的晶向
【答案】C
10．（多选）经冷变形的金属随后加热到一定温度将会发生回复再结晶，这是一个（ ）。
A. 低位错密度的晶粒取代高位错密度的晶粒的过程
B. 也是一个形核和长大的过程
C. 是一个典型的固态相变的过程
D. 也是重结晶过程
【答案】AB
二、名词解释
11．反应扩散
【答案】反应扩散是通过扩散而形成新相的过程。即在固态扩散的过程中，如果渗入元素在金属中溶解度有限，随着扩散原子增多，当渗入原子的浓度超过饱和溶解度时则形成不同于原相
的固溶体或中间相，从而使金属表层分为出现新相和不出现新相的两层的过程。
12．扩展位错
【答案】一个全位错分解为2个Shockley 不全位错，这样的2个Shockley 位错一起被称为扩展位错。
13．再结晶退火
【答案】再结晶退火是指经过塑性变形的金属，在重新加热过程中，当温度高于再结晶温度后，形成低缺陷密度的新晶粒，使其强度等性能恢复到变形前的水平，但其相结构不变的过程。
14．偏析
【答案】偏析是指合金中各组成元素在结晶时分布不均匀的现象。
15．非均匀形核
【答案】新相优先在母相中存在的异质处形核，即依附与液相中杂质或外来表面形核。与均匀形核相比，它需要的形核功和过冷度都较小。
三、填空题
16．点缺陷的平衡浓度随_____的升高而增大。
【答案】温度
17．空间群为Fm3m 的晶体结构属于_____晶族，_____晶系。
【答案】尚级；兑方
18．常见的高分子材料晶态模型有_____、_____和_____三种。
【答案】缨状微束模型；折叠链模型；插线板模型
19．晶体具有_____ 、_____ 、_____和_____等基本性质。
【答案】对称性；结晶均一性；各向异性；自限性（或最小内能性）
20．_____器件是应用了材料在较高温度下具有较多的电子进入导带这一现象。
【答案】热敏电阻
21．细化晶粒不但可以提高材料的_____，同时还可以改善材料的_____和_____。
【答案】强度；塑性；韧性
22．当过冷液体中出现一个晶胚时，总的自由能变化AG 可写为_____，当
值称为_____，其大小决定于_____和_____
，
【答案】变小意味着形核数目_____。 临界晶核半径；过冷度；比表面能；增多
时，
所得的
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