2017年山东大学模拟电路(同等学力加试)复试仿真模拟三套题
● 摘要
一、简答题
1． 电路如图所示。已知
：
（1）简述电路工作原理；
（2）标出两个输入端中的同相端及反相端； （3）在
时，
且
确定各静态工作点及
的值；
（4）求总的电压放大倍数。
图
【答案】（1）这是一个由四级放大单元组成的集成运放电路，级间为直接耦合。
第一级是差分输入级，双端输入单端输出，尾电阻采用基本恒流源结构以提高交流阻抗，降低共模增益。
第二级为CE 增益级，高工作点的稳定性，
和组成达林顿复合管以提高电流增益，提供直流偏置；
的输出电阻，由于该电阻极大，电压
为直流负反馈电阻以提
和D 给
第三级为CC 射级跟随器，起电压缓冲作用，负载为的跟随或隔离作用好；
第四级同样为CC 射极跟随器，提高负载电流驱动能力。 （2）根据瞬时极性法，可判断出（3）级静态电流和结点电位：
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为反相端；为同相端：
（4）BJT 増益关键在于次级输入电阻的计算第二级输入电阻
第三级输入电阻
第一级负载
第一级为CE 放大，有
则第二级CE 増益为
最后两级射级跟随器电压增益近似为1，则总增益为
2．
型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如图所示。 （1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 （2）说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。
图
【答案】对于
晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注
处P 区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度
入了非平衡少子电子，所以
当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别：
（1）图（a ）:发射结反偏，集电结反偏。图（b ）:发射结正偏，集电结反偏。 图（c ）:发射结正偏，集电结正偏。图（d ）:发射结反偏，集电结正偏。 （2）图（a ）:截止。图（b ）:放大。 图（c ）:饱和。图（d ）:反向放大。
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3． 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数口。
图
【答案】
且基极电流较小，集电极和射极电流属于同一数量级，故（a ）两个电
另一个电
流均是流入三极管且大小相差悬殊，分别是基极和集电极电流，且流是射极电流，从管脚流出，该管是NPN 管，
（b ）两个电流一个流入三极管，另一个从三极管流出，故分别是基极和发射极电流，
且
该管是NPN 管，
每个管子电流大小和方向，如图所示。
图
4． 多级放大电路如图1所示，设电路参数
（1）判断电路中
（2）画小信号等效电路； （3）求电路的静态工作点； （4）推导
的表达式。
各组成什么组态的电路；
已知。
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