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问题:

[单选] 下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是()。

A . A.4HF+Si=SiF4+2H2
B . B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2
C . C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2
D . D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

男性,55岁。咳嗽、痰血、体重减轻3个月。近2周出现声嘶就诊。痰脱落细胞阳性,纤维支气管镜见右肺上叶支气管口新生物致管腔完全阻塞。该患者声嘶是由于(). A.肿瘤压迫副神经。 肿瘤压迫舌咽神经。 肿瘤压迫舌下神经。 肿瘤压迫喉返神经。 肿瘤压迫迷走神经。 单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈()。 三角形。 圆形。 倒金字塔形。 正方形。 不允许制冷剂直接接触的物品包括() 明火。 炽热的金属。 铝。 铜。 磷硅玻璃的主要组成是()和()。 A.P,Si。 B.P2O5,Si。 C.P2O5,O2。 D.P,SiO2。 男性,55岁。咳嗽、痰血、体重减轻3个月。近2周出现声嘶就诊。痰脱落细胞阳性,纤维支气管镜见右肺上叶支气管口新生物致管腔完全阻塞。该患者随即进行X线检查,典型X线征象是(). A.右肺上叶分叶状块影。 右肺上叶不张。 右肺上叶不张、下缘呈倒S型。 右肺门块影。 右肺上叶阻塞性肺脓肿。 下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是()。
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