下面不是制造非晶硅太阳电池常用的方法是()。 A.辉光放电法。 B.反应溅射法。 C.化学气相沉积法。 D.电镀法。
薄膜光伏电池制备工艺中,等离子增强化学气相沉淀法的英文缩写是() A.PVD。 B.LPVCD。 C.PEVCD。 D.LVCD。
电池片表面的镀膜厚度是利用光学中的()原理来减少反射。 A.相长干涉。 B.折射。 C.相消干涉。 D.光的衍射。
刻蚀工艺会影响光伏池片电学参数中的()。 A.开路电压。 B.并联电阻。 C.短路电流。 D.串联电阻。
下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是()。 A.4HF+Si=SiF4+2H2↑。 B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑。 C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑。 D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O。
单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈()。