● 摘要
本论文工作研究的是大面积PIN InGaAs探测器，针对大面积PIN InGaAs探测器的特点，讨论了光电探测器的原理、参数设计、制造和测试等主要内容，根据这些原理，研制出了一批性能良好的光电探测器。本论文优化了大面积PIN InGaAs探测器的设计，改善了探测器的器件工艺和器件性能，有利于器件的进一步实用化，取得了如下结果：1．在对PIN InGaAs光电探测器的原理进行学习和讨论的基础上，对探测器外延结构做了优化。2．通过新的电极工艺，改善了欧姆接触，节约了生产成本，提高了工作效率。3．通过改进钝化工艺，获得了更加适合大面积PIN InGaAs探测器的钝化膜，通过对折射率和反射率等的计算，得到了最佳的增透效果。4．通过对扩散工艺条件的摸索，得到了最佳的扩散条件。5．对测试参数和测试设备做了简要的讨论和说明。