2018年吉林师范大学信息技术学院836电子技术(模拟部分)之电子技术基础-模拟部分考研基础五套测试题
● 摘要
一、选择题
1． 为增大放大电路的输入电阻，应引入（ ）负反馈。
A. 电压
B. 电流
C. 并联
D. 串联
【答案】D
【解析】引入串联负反馈，输入电阻增加，闭环输入电阻是开环输入电阻的(1+AF)倍。
2． 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
A. 前者反偏，后者也反偏
B. 前者正偏，后者反偏
C. 前者正偏，后者也正偏
【答案】B
【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。
3． 己知图(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，则电路2应为（ ）。
A. 正弦波振荡电路
B. 同相输入过零比较器
C. 反相输入积分运算电路
D. 同相输入滞回比较器
(a)
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(b)
图
【答案】B
【解析】由的波形对应波形看出，当时，输出高电平，当时，输出低电平，所以电路2是过零比较器，且是同相输入的。
4． 构成基本三角波发生电路，应选用（ ）。
A. 窗口比较器
B. 积分运算电路
C. 微分运算电路
D. 滞回比较器
【答案】BD
【解析】滞回比较器可以产生矩形波，将矩形波进行积分，可以得到线性度比较好的三角波。
5． P 沟道FET 参与导电的载流子是（ ）。
A. 电子与空穴
B. 电子
C. 空穴
D. 不确定
【答案】C
【解析】P 沟道FET 主要靠P 的载流子进行导电，而在P 中多子为空穴。
6． 和TTL 电路相比CMOS 电路最突出的优势在（ ）。
A. 可靠性高
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B. 抗干扰能力强
C. 速度快
D. 功耗低
【答案】D
【解析】TTL 电路以速度快, CMOS 以功耗低。
二、判断题
7． 判断下列说法是否正确，用“√”、“×”表示判断结果填入空内。
(1)对于理想的稳压电路，
（ ）
(3)因为串联型稳压电路中引入了深度负反馈，因此也可能产生自激振荡。（ ）
(4)在稳压管稳压电路中，稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流（ ）；而且，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。（ ）
【答案】(1)√；(2)√；(3)√; (4)×；√
【解析】稳压管的最大电流必须大于最大负载电流。
8． P 型半导体的少数载流子是空穴。（ ）
【答案】×
【解析】P 型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。
9． 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（ ）
【答案】×
【解析】输出功率用输出电压有效值V 和输出电流有效值I 的乘积来表示。设输出电压的幅值为，而管耗为输入功率-输出功率，，理论上来讲，在输入功率一定时，输出功率越大，功耗越小。
10．功率放大电路与电压放大电路的区别是
①前者比后者电源电压高；（ ）
②前者比后者电压放大倍数数值大；（ ）
③前者比后者效率尚；（ ）
④在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；（ ）
⑤前者比后者的输出功率大。（ ）
【答案】×；×；√；×；√
。（ ） (2)线性直流电源中的调整管工作在放大状态，开关型直流电源中的调整管工作在开关状态。
三、分析计算题
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