2017年重庆大学电子技术基础(同等学力等加试)之电子技术基础-模拟部分考研复试核心题库
● 摘要
一、简答题
1． 设图中三极管VT
的
（1）计算静态工作点
（3）求输入电阻（4）求输出电阻（5）求电压增益
和
对交流信号可视为短路
，
（2）画出交流通路及交流小信号低频等效电路；
图
【答案】（1）电容对于直流信号相当于开路，因此根据该放大电路的直流通路可以列出方程：
将代入，得：
（2）
交流通路如图1所示，交流小信号低频等效电路如图2所示。
图1 图2
（3）由微变等电路可知，输入电阻为：
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而
所以
（4）
（5）
2． 已测得晶体三极管各极对地电位如图所示。试判断各晶体三极管处于何种工作状态（饱和、放大、截止或损坏）。
图
【答案】锗管
硅管
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置PNP 管
三极管无论是PNP 型还是NPN 型
且集电结反向偏置，即NPN 管
在电流电压不同输入时，其发射结、集电结的状态是相同的，即截止区：发射结、集电结反偏；放大区：发射结正偏、集电结反偏；饱和区：发射结正偏、集电结正偏。
在图（a ）中，3AD6是锗PNP 管，所以晶体管工作在放大区。
在图（b ）中，3DG6是硅NPN 管，以晶体管工作在截止区。
在图（c ）中，3CG2是硅PNP 管，在图（d ）中，3BX1是锗NPN 管管工作在临界饱和区。
3． 共射-共基谐振放大电路如图(a)
所示。已知
晶体管的
试求：
（1）电路谐振时的电压放大倍数（2）电路的通频带（3）放大电路失谐
时的选择性。
和有载品质因数
而
不为零，表明发射结短路，晶体管已损坏。即发射结正偏
即集电结零偏，所以晶体
即发射结反偏
即集电结反偏，所
即发射结正偏
即集电结反偏，
LC
回路的
线圈的圈比
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图
【答案】图（a ）中，由于共基电路的隔离作用，可以避免谐振放大电路的自激，因此应用比较普遍。其交流通路和
时的等效电路分别如图（b ）和（c ）所示。
图
（1）先计算谐振频率
和空载谐振电阻
再计算
和
（2）
（3）
电路失谐
时的选择性为
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