当前位置:问答库>考研试题

2017年山东大学控制科学与工程学院834普通物理之普通物理学考研冲刺密押题

  摘要

一、计算题

1 无限长直圆柱导体在没有电流时,.自由电子的体电荷密度为常量

正离子的体电荷密度为

分布。当

导体内处于电中性。当沿导体长度方向通以直流电时,体电流会在导体中产生轴对称的环状分布磁场,沿轴向运动的 自由电子便会在磁场力的作用下向中轴移动,从而破坏了原来的的稳恒电流。设此时自由电子的漂移速度为,则净电荷密度为

向分布)

试求导体中净电荷密度的分布。

(具有轴对称性,沿径

积聚的净电荷产生的径向电场与运 动的自由电子所受的磁场力恰好抵消时,便形成只沿导体方向

【答案】设当电流稳恒地沿轴流动时,自由电子的电荷体密度为

电流密度为

由安培环路定理,上述体电流在r 处的磁场为

自由电子所受磁场力为

由高斯定理可得,

净电荷按

分布而形成的径向电场为

因此,自由电子所受电力为

稳恒时,有

式中C 为真空中的光速。又引入

则式(*)可改写为

考虑到

由此可见,自由电子沿径向的分布实际情况是

因此,由于电流磁效应引起的自由电子电荷密度分布的变化,即净电荷的分布,是完全可以忽略的。

2. 如图为一无限长带电体系,其横截面由两个半径分别为为

电荷体密度为

半径为

为常量,故净电荷密度也是常量,为

和的圆相交而成,两圆中心相距

的区域内充满

的区域内充满电荷体密度为的均匀正电荷,半径为

的均匀负电荷。试求重叠区域内的电场强度。

【答案】如图(a ), 在重叠区内任取一点P , P 点到左、右无限长均匀带电圆柱体轴线的垂直距离分别表为b 和c 。因左、右圆柱分别带正、负电,故它们在P 点的场强

和分别沿b 和-c 方

向(b 和c 的方向分别标明如图(b ))。如上题,作同轴的长为可由高斯定理分别求出

半径为b 和c 的圆柱形高斯面S 和

重叠区内任意P 点的场强为

可见,E 与P 点的位置无关,即重叠区内各点场强的大小、方向都相同,为匀强电场。

3. 如图所示,一电阻为R 的金属框架置于均匀磁场B 中,长为质量为m 的导体杆可在金属框架上无摩擦地滑动。现给导体杆一个初速度

求:

(1)导体的速度v 与时间t 的函数关系; (2)回路中感应电流与时间t 的函数关系; (3)在时间

时,回路产生的焦耳热是多少?

【答案】(1)设导体杆的速度为v , 所受安培力为

根据牛顿第二定律,有

(2)(3)