晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。 A．减小／右移。 B．增大／右移。 C．增大／左移。 D．减小／左移。
晶体管工作在放大区的条件是（）。 A．发射结正向偏置，集电结反向偏置。 B．发射结反向偏置，集电结正向偏置。 C．发射结正向偏置，集电结正向偏置。 D．发射结反向偏置，集电结反向偏置。
晶体管工作在饱和区的条件是（）。 A．发射结正向偏置，集电结反向偏置。 B．发射结反向偏置，集电结正向偏置。 C．发射结正向偏置，集电结正向偏置。 D．发射结反向偏置，集电结反向偏置。
简述我国进行社会主义改造的内外条件
用模拟万用表欧姆挡测一晶体管，用黑表笔接一个极，用红表笔分别测另两个极，测得的电阻都很小，则黑表笔接的是（）。 A．NPN的发射极。 B．PNP的发射极。 C．PNP的基极。 D．NPN的基极。
在静态时，无论基极偏置电流多大，无论是PNP型还是NPN型，三极管三个极电流总有（）。
