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问题:

[单选] 晶体管工作在饱和区的条件是()。

A . A.发射结正向偏置,集电结反向偏置
B . B.发射结反向偏置,集电结正向偏置
C . C.发射结正向偏置,集电结正向偏置
D . D.发射结反向偏置,集电结反向偏置

当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时,晶体管处于()。 A.放大区。 B.饱和区。 C.截止区。 D.放大或饱和区。 党在过渡时期的总路线提出的主要任务是解决所有制问题 晶体三极管工作时,温度升高其死区电压();输入特性曲线()。 A.减小/右移。 B.增大/右移。 C.增大/左移。 D.减小/左移。 在静态时,无论基极偏置电流多大,无论是PNP型还是NPN型,三极管三个极电流总有()。 A.IC=IB+IE。 B.IB=IE+IC。 C.IE=IB+IC。 D.IE=(+1)IB。 如图所示,某转坡点处相邻两纵坡为i1=-5%(下坡)和i2=3%(上坡),转坡点桩号为K3+700,转坡点设计标高为456.321m。设已知竖曲线外距E=1.5m,试据此计算: (1)竖曲线的半径R、长度L和切线长T; (2)竖曲线的起、终点桩号和设计标高; (3)桩号K3+660和K3+730处的设计标高。 晶体管工作在饱和区的条件是()。
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