2017年长春理工大学理学院电子线路之电子技术基础-数字部分复试仿真模拟三套题
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一、简答题
1． （1）写出
的对偶式；
的对偶式为:
（3）
，可写出输出的逻辑表达式
（3）根据图（a ）
则其与非门实现如图（b ）所示。
（2）用逻辑代数定理与公式证明:（3）用逻辑代数定律与公式化简:
（4）将如图（a ）所示的逻辑电路改用与非门实现。 【答案】（1）根据对偶规则，（2）
图
2． 试将两片3线一8线译码器74138扩展为4线一 16线译码器；在4线一 16线译码器的基础上，加与非门设计一个能将余3 BCD码转换为2421 BCD码的代码转换器（74138译码器逻辑符号和2421 BCD码如图（a ）所示）。
【答案】（1）用两片3线-8译码器可扩展成4线-16译码器，如图 （b ）所示。
（2
）设输入的余三码表示为真值表如下表所示。
经电路变换后的输出为2421码表示为
表
，则
从真值表可以看出
故该电路可用4线-16译码器和四个与非门实现。
（a ）
（b ）
3． TTL 与非门有如下特性:输出低电平不高于0.4V ，并允许灌入10mA 电流；输出高电平不低于2.4V , 并允许拉出1mA 电流；输入短路电流为1mA , 输入交叉漏电流为100pA ; 关门电平为0.8V ，开门电平为m 问该TTL 门的扇出头数容限
输入短路电流为
开门电平为
+
输入低电平为输入高电平为
高电平噪声容限:
4． 把十进制小数0.39转换成二进制小数。（1）要求误差不大于
【答案】（1）要求误差不大于如下:
（2）由于的过程有
5． 某系统的内存储器容量为出存储器的扩展接线草图。
【答案】先进行字扩展，将
位的SRAM 扩展成
的SRAM , 如图 （a ）。
位，存储器芯片采用62256（
位的SRAM ），画
因此要求误差不大于
只需保留至小数点后十位。接续（1）
（2）要求误差不大于
，则低电平噪声容
输入交叉漏电流
【答案】（1）求扇出头数根据题意
，
则
在输出低电平时:在输出高电平时:故
设关门电平为限:
（2）计算噪声容限
为多少? 计算低电平噪声容限Unl 和高电平噪声
只需保留至小数点后7位。使用“乘2取整”法则，过程
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