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2017年西安交通大学电气工程学院804材料科学基础考研强化模拟题

  摘要

一、名词解释

1. 位错

【答案】位错是指晶体中的一维缺陷或线状缺陷。

2. 间隙固溶体

【答案】间隙固溶体是指若溶质原子比较小时可以进入溶剂晶格的间隙位置之中而不改变溶剂的晶格类型所形成的固溶体。

3. 热塑性和热固性高分子材料

【答案】高分子材料是由相对分子质量较高的化合物构成的材料,包括橡胶、塑料、纤维、涂料、胶黏剂和高分子基复合材料等。高分子材料按其性能可分为热塑性和热固性高分子材料,其中,热塑性高分子材料可溶、可熔;热固性高分子材料不溶、不熔。利用加热和溶解的方法可将热固性和热塑性材料分辨出来,常用的识别高分子材料的简便方法有经验法、燃烧法、溶解法、仪器分析法等。

4. 离子键

【答案】离子键是通过两个或多个原子或化学基团失去或获得电子而成为离子后形成的。带相反电荷的离子之间存在静电作用,当两个带相反电荷的离子靠近时,表现为相互吸引,而电子和电子、原子核与原子核之间又存在着静电排斥作用,当静电吸引与静电排斥作用达到平衡时,便形成离子键。因此,离子键是阳离子和阴离子之间由于静电作用所形成的化学键。

5. 致密度

【答案】致密度是表示晶胞中原子所占的体积与晶胞体积的比值,是衡量原子排列紧密程度的参数,致密度越大,晶体中原子排列越紧密,晶体结构越致密。

二、简答题

6. 简述铸锭常见凝固技术及用途。

【答案】(1)控制晶粒大小:细化晶粒,提if]材料的强前性。

(2)制取单晶体:可以获取具有特殊性能的单晶材料,尤其是具有特殊物理性能的半导体材料。

(3)制取非晶态合金:制备具有特殊力学和物理性能的材料。

(4)定向凝固:制取叶片等在某一方向要求具有良好性能的工艺。

(5)区域熔炼:利用固溶体凝固原理来提纯材料的一种工艺。

7. 根据图1所示铁碳亚稳平衡相图和你所学所有知识,回答下列问题:

图1

(1)分析氢、氮、碳、硼在中形成固溶体的类型,进入点阵中的位置和固溶度大小。已知元

素的原子半径如下:氣0.046nm , 氮0.071nm ,碳0.077nm ,硼0.091nm ,

(2)标注相图中平衡反应的成分及温度,写出平衡反应式。

(3)分析的铁碳合金平衡凝固到室温过程的组织变化。

(4)指出相的晶体结构、密排方向、密排面、致密度、配位数、晶胞中原子数和通常情况下的滑移系;画出其中一个滑移系,并标明指数。

(5)结合你所学的有关知识,说明如何提高Fe-C 合金的强度。

(6)

(7)

图;渗碳在【答案】(1):的铁碳合金在拉伸中,一种情况是在拉伸出现塑性变形后去载,立即再加载;另的铁碳合金制作成齿轮,对齿轮气体渗碳强化。画出钢在渗碳后的组织分布示意中进行而不在中进行,即渗碳温度选择要高于温度,为什么?渗碳温度,四面体间隙半径

:中一般会溶入八面体间隙中心,形成间隙一种情况是去载后时效再加载。试解释前者无屈服现象后者有屈服现象的原因。 高于1100°C 会出现什么问题? 为FCC 结构,八面体间隙半径。可见氢、氮、碳原子在

固溶体,固溶度较小;

硼在

也可以形成置换固溶体

(2)图1中平衡反应成分、温度和反应式如下(三条水平线,从上到下):

B 、H 和J 点成分分别为:

C 、E 点和

,S 、P 点和成分分别为:

成分分别为:

(3)合金平衡凝固到室温过程的组织变化为:

:中一般也是位于八面体间隙中心,形成间隙固溶体,但是有时

(4)为FCC 结构,其密排方向、密排面、致密度、配位数、晶胞中原子数分别为<110>、{111}、0.74、12和4;通常情况下的滑移系为{111}<110>, 其中一个滑移系为(111).

所示。

,指数如图2

图2

(5)提高Fe-C 合金的强度方法有多种,主要有加工硬化、微合金强化、固溶强化、细化晶粒强化、热处理强化(马氏体相变强化等)。

(6)合金中由于C 原子与Fe 的弹性交互作用,形成称柯氏气团,柯氏气团与位错的交互作用导致合金出现屈服现象,在拉伸出现塑性变形后去载,立即再加载是已经克服了柯氏气团对位错的阻碍,立即再加载不会重新出现屈服现象,而卸载后时效再加载会使溶质原子重新聚集形成与位错的新的交互作用,从而使合金再次出现屈服现象。

(7)合金齿轮渗碳后的组织分布示意图如图3所示。 渗碳在温度范围中(A3温度以上)进行而不在温度范围中进行的主要原因是,温度较高,渗碳速度可以较快,同时在温度范围中进行渗碳,可以得到较大的含碳量,但是渗碳温度高于ll00°C 会导致基体合金晶粒粗大,力学性能下降,同时对渗碳设备也会提出更高要求。

图3

8. 在晶体中插入附加的柱状半原子面能否形成位错环?为什么?

【答案】不能形成位错环。假设能形成位错环,由于插入的是附加的柱状半原子面,则该位错环各处均为刃型位错,根据刃型位错的则该位错环每一线元对应的b 应沿着径向,也就是说环上各线元对应的b 不同,这与一条位错线只有一个b 相矛盾。

9. 画出体心立方晶体的晶胞示意图。

【答案】如图所示。