2017年西安交通大学电气工程学院804材料科学基础考研冲刺密押题
● 摘要
一、名词解释
1. 金属键
【答案】金属键是金属正离子与自由电子之间的相互作用所构成的金属原子间的结合力。
2. 非均匀形核
【答案】新相优先在母相中存在的异质处形核,即依附与液相中杂质或外来表面形核。与均匀形核相比,它需要的形核功和过冷度都较小。
3. 相图
【答案】金属及其他工程材料的性能决定于其内部的组织、结构,金属等材料的组织又由基本的相所组成。由一个相所组成的组织叫单相组织,两个或两个以上的相组成的叫两相或多相组织。相图就是用来表示材料相的状态和温度及成分关系的综合图形,其所表示的相的状态是平衡状态。
4. 上坡扩散
【答案】上坡扩散是指原子从低浓度向高浓度处的扩散,扩散的驱动力是化学位梯度。
5. 相图中的自由度
【答案】相图中的自由度是指在相平衡系统中,在一定范围内可以任意改变而不引起旧相消失或新相产生的独立变量。
二、简答题
6. Pb-Sn-Bi 三元合金相图如图所示。
(1)试写出图中五条单变量线及P 点、E 点反应的反应式。
(2)分析图中合金2的平衡结晶过程,指出它的开始凝固温度。
图
【答案】(1)图中五条单变量线的反应式分别为:
P 点反应:
E 点分反应:
合金2的开始凝固温度从图中可(2)图中合金2的平衡结晶过程:
以得到为150°C 。
7. 试说明多晶体金属塑性变形时,晶粒越小强度越高、塑性越好的原因。
【答案】多晶体金属塑性变形时,晶粒越小强度越高,塑性越好的原因是:
(1)由于晶粒细小,各晶粒中可供塞积位错的滑移面较短,塞积位错的数量n 也少,由位错塞积引起的应力集中小而分散,迫使相邻晶粒位错源开动就较为困难,故屈服强度较高。
(2)晶粒细小而数目很多,在相同外力作用下,处于滑移有利方位的晶粒数量也会增多,使众多的晶粒参加滑移,滑移量分散在各个晶粒中,应力集中小,这样在金属变形时引起开裂的机会小,直至断裂之前,能获得较大的塑性变形量。
8. 什么是晶体缺陷?按照晶体缺陷的几何组态,晶体缺陷可分为哪几类?
【答案】(1)在理想完整晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其他条件的影响,原子的排列不可能那
样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体缺陷,它破坏了晶体的对称性。晶体缺陷有的是在晶体生长过程中,由于温度、压力、介质组分浓度等变化而引起的;有的则是在晶体形成后,由于质点的热运动或受应力作用而产生。它们可以在晶格内迁移,以至消失;同时又可有新的缺陷产生。
(2)按照晶体缺陷的几何组态,晶体缺陷可分为:
①点缺陷,只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷,包括:晶格位置上缺失正常应有的质点而造成的空位;由于额外的质点充填晶格空隙而产生的填隙;由杂质成分的质点替代了晶格中固有成分质点的位置而引起的替位等。在类质同象混晶中替位是一种普遍存在的晶格缺陷。
②线缺陷,是沿着晶格中某条线的周围,在大约几个原子间距的范围内出现的晶格缺陷。位错是其主要的表现形式。
③面缺陷,是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷,主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面,如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。此外,也有人把晶体中的包裹体等归为晶体缺陷而再分出一类体缺陷。
9. 谈谈你对高强度材料的理解。
【答案】对于结构材料,最重要的性能指标之一是强度。强度是指材料抵抗变形和断裂的能力,提高材料的强度可以节约材料,降低成本。人们在利用材料的力学性能时,总是希望所使用的材料具有足够的强度,人们希望合理运用和发展材料强化方法,从而挖掘材料性能潜力的基础。 从理论上讲,提高金属材料强度有两条途径:
(1)完全消除内部的位错和其他缺陷,使它的强度接近于理论强度。目前虽然能够制出无位错的高强度金属晶须,但实际应用它还存在困难,因为这样获得的高强度是不稳定的,对操作效应和表面情况非常敏感,而且位错一旦产生后,强度就大大下降。
(2)在金属中引入大量的缺陷,以阻碍位错的运动,例如金属材料的强化手段一般有固溶强化、细晶强化、第二相粒子强化、形变强化等。综合运用这些强化手段,也可以从另一方面接近理论强度,例如在铁和钛中可以达到理论强度的38%。
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