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电子科技大学

2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题

考试科目：832 微电子器件

注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共45分，每空1分）

1、泊松方程的积分形式即是（ ）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（ ）。

2、PN 结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。例如：（ ）只存在于正向偏压之下；（ ）的正负电荷在空间上是分离的；（ ）能用作变容二极管。

3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（ ），正向导通压降更（ ）。

4、碰撞电离率是指每个载流子在（ ）内由于碰撞电离产生的（ ）的数目。电场越（ ），材料的禁带宽度越（ ），碰撞电离率将越大。

5、温度升高时，PN 结的雪崩击穿电压将（ ），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（ ）。

6、MOSFET 用于数字电路时，其工作点设置在（ ）区和（ ）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（ ）区。

7、双极型晶体管的t b 既是基区渡越时间，又是（ ）电阻与（ ）电容的乘积。

8、双极型晶体管的跨导代表其（ ）电流受（ ）电压变化的影响。双极型晶体管的直流偏置点电流I E 越大，跨导越（ ）；工作温度越高，跨导越（ ）。（第三、四个空填“大”或“小”）

9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES （ ）I CS ； I CBO （ ）I CEO ； BV CBO （ ）BV CEO ；BV EBO （ ） BV CBO

、“<”或“=”） （填“>”

10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（ ）零，发射结上的偏压（ ）零。 （填“>”、“<”或“=”）