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杭州电子科技大学

攻读硕士学位研究生入学考试

２０１２《半导体物理》试题

（试题共 大题，共 页，总分150分）

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【所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效！】

一、多项选择题（本大题共4小题，每小题5分，共20分）

1．半导体材料是指

A ）导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。

B ）有时候能导电，有时候不导电的材料。

C ）禁带宽度小于5eV 的材料。

D ）禁带宽度大于5eV 的材料。

2. 半导体材料中的施主指

A ）材料中存在的外围电子数大于基体材料外围电子数的杂质。

B ）材料中存在的外围电子数小于基体材料外围电子数的杂质。

B ）材料中存在的能够向导带提供电子的缺陷。

C ）材料中存在的能够向价带提供电子的缺陷。

3. 导带电子的有效质量指

A ）把电子的静止质量换算成爱因斯坦质能方程对应的质量。

B ）考虑了相对论效应影响后电子的质量。

C ）考虑了晶格场影响以后电子的质量。

D ）考虑了随机碰撞后电子的质量。

4. 价带空穴指

A ）晶体中存在的电荷与电子相反的正电子。

B ）价带中存在的正电子。

C ）价带中缺少了电子后的空状态。

D ）价带空穴不少实际存在的粒子。

二、简答题（本大题共10 小题，每小题10分，本大题共100分）

1．简述本征半导体材料的载流子浓度随温度的变化情况。

2．简述掺杂半导体材料的载流子浓度随温度的变化情况。

3. 简述半导体材料的电导率随温度的变化情况。

4. 简述半导体材料的电导率随载流子浓度的变化。

5. 简述半导体材料中的载流子在外场下的运动特点。

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