浙江理工大学928半导体物理2010考研试题研究生入学考试试题考研真题
● 摘要
浙江理工大学
二O 一O 年硕士学位研究生招生入学考试试题
（*请考生在答题纸上答题，在此试题纸上答题无效）
一、 不定项选择题 （30分，3分*10）
1. 具有闪锌矿结构的半导体材料为（ ）
A 、Si B 、Ge C 、GaAs D、ZnO
2. 高纯度半导体就是（ ）
A 、对光透明的宽禁带半导体 B 、电阻率很高的补偿半导体
C 、温度很低的半导体 D 、杂质、缺陷浓度很低的半导体
3. 那些跃迁可能导致半导体发光（ ）
A 、本征跃迁 B 、带-杂质能级间辐射 C 、施主-受主对 D 、激子复合
4. 利用吸收光谱可以获得半导体材料的那些信息（ ）
A 、跃迁机制 B 、禁带宽度 C 、声子能量 D 、杂质能级
5. PP +和NN +结为浅结，它们常用于（ ）
6. A 、小信号整流 B 、欧姆接触 C 、可变电容 D 、稳压二极管 测知某半导体的霍尔系数随温度升高由正值变为零然后变为负值，则
该半导体可能是（ ）
A 、纯净半导体 B 、p 型半导体 C 、n 型半导体 D 、以上三种都可能
光电导指（ ）
A 、光在介质传播时的电导 B 、光在半导体材料中的传播速度
C 、光照引起的电导率变化 D 、光照产生激子引起的电导率增加 非平衡载流子就是（ ）
A 、处于导带还未与价带空穴复合的电子 B 、不稳定的电子空穴对
C 、不停运动着的载流子 D 、偏离热平衡状态的载流子 pn 结击穿指（ ）
A 、反向电压随电流增加迅速增加 B 、正向电流随反向电压增加迅速增加
C 、正向电压随电流增加迅速增加 D 、反向电流随反向电压增加迅速增加 7. 8. 9.
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