● 摘要
深紫外光刻技术是太阳能光伏电池技术制造工业中的主要且非常重要的一个技术。因光刻分辨精度在刻印精度上的提高将直接影响太阳能光伏电池器件的集成密集度，所以光刻技术是衡量太阳能光伏电池制造先进程度的重要指标之一。目前深紫外光刻技术广泛应用于太阳能行业各企业内的量产环节，同时也是光刻技术研究和应用的核心技术之一。
根据公司内部调研，太阳能光伏电池市场正在逐渐从硅衬底材料向砷化镓衬底材料转变，为提高光电转换效率及市场竞争力，公司需研发设计并实现以砷化镓材料为基材的光伏电池模块生产线。
基于此需求，本课题基于现有的ABM公司生产的深紫外光刻机，光刻工艺特征尺寸要求为0.25微米~0.35微米的光伏产品，探究对于以砷化镓材料为衬底的晶圆的主要光刻质量影响因素，并对各因素进行深入讨论及分析，最后通过实验来验证及获取光刻工艺中的主要工艺参数的最佳设置，并以此最佳参数来指导公司后续的研发、设计及量产工作。