2018年中国民航大学航空自动化学院802电子技术基础之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟五套题
● 摘要
一、分析计算题
1． 已知某耗尽型MOS 管的夹断电压电流
和跨导gm 。
【答案】耗尽型MOS 管的转移特性为代入数据得
由跨导的定义
得
因此, 当
时
.
2． 在如图所示电路中，已知二极管的导通电压发射极静态电位
。试问:
，
晶体管导通时的
和
管
,
, 饱和漏极电流
, 求
时的漏极
图
(1)(2)设
、
和
管基极的静态电位各为多少？
若和
管基极的静态电流可忽略不计，则
管集电极静态电
流为多少？静态时
(3)若静态时
，则应调节哪个参数可使
？如何调节？
(4)电路中二极管的个数可以是1、2、3、4吗？你认为哪个最合适？为什么？ 【答案】(1)由电路可看出，
和管基极的静态电位分别为
(2)静态时，管集电极电流和输入电压分别为
(3)若静态时
，则应增大
以降低
基极电位。
(4)采用如图所示两只二极管加一个小阻值电阻合适，也可只用三只二极管。一方面可使输出级晶体管工作在临界导通状态，消除交越失真；另一方面在交流通路中，由于二极管的动态电阻比较小，可忽略不计，从而减小交流信号的损失。
3． 已知晶体管工作在线性放大区，并测得其各极电压如图所示。试画出晶体管的电路符号，并分别说明是硅管还是锗管。
图
【答案】因器件工作在放大区，发射结正偏，集电结反偏；对于硅管，
发射结正偏电压应为
，对于锗管，发射结正偏电压应为
；对于PNP 管，集电极电位最低，发射极
电位最高，对于NPN 管，集电极电位最高，发射极电位最低。由此可判别:图(a)是PNP 锗管，电路符号如图(c)所示。图(b)是NPN 硅管，电路符号如图(d)所示。
4． 设计一分压式电流负反馈偏置放大电路。
技术要求是:温度在要求
BJT 的参数是:【答案】(1)根据题意，当因为
的估算。
时，电流:应是最低值1mA ，
应是最大值6V 。
解得如果
:
未知，可以根据
的数值先假设
范围内变化时 和时，
时，
。
。
已给出，故可得:
某一数值，
设(2)
的估算。
则
因为. ，所以将和1
((
时各参数值分别代入可得:
时
) 时)
联立上述两式，解得:
也可以利用经验公式，比如选取当则需重新选取
(3)
和
时的
值，直至满足要求为止。 的计算。
(4)核算
时的
值。
可见，上述结果在允许范围内，表明设计有效。
5． 判断图所示电路的反馈组态，估算电压放大倍数，并说明对输入、输出电阻的影响。
去求解。例如设
，此时
的技术要求，不满足要求，
，则
图
【答案】电路的反馈组态是电压串联负反馈，由于运放的开环放大倍数很大，AF 远大于1，因此
又由于运放的输入电阻很大，引入串联负反馈后，输入电阻增大到开环时的(1+AF)倍，因此，电路的输入电阻可看作无限大；另外，引入电压负反馈后，输出电阻要降到开环时的而运放的输出电阻本来就较小，因此，电路的输出电阻可看作为零。
，反馈系数。
，