● 摘要
采用低温化学气相沉积法(CVD)，在FTO导电玻璃衬底上制备了SnO2纳米锥和纳米管阵列。研究了FTO导电玻璃衬底上SnO2纳米锥阵列的场发射(FE)性能。基于SnO2纳米锥阵列构筑了DSC，并测试了相关性能。这些研究为SnO2纳米材料的的制备和相关性能的研究应用提供了一定理论基础。具体研究结果如下所述：
(1) SnO2纳米锥阵列的制备及其场发射、光电导性能
通过低温CVD法，以SnCl2·2H2O和ZnCl2的混合物(SnCl2·2H2O同ZnCl2质量比为1：1)为源物质，在马弗炉600 oC下反应，在FTO玻璃衬底上制备了高度取向的SnO2纳米锥阵列。通过反应时间的改变实现了不同尺寸SnO2纳米锥阵列的可控制备，提出了可能的生长机理，研究了不同尺寸SnO2纳米锥阵列的场发射性能，并与已报道SnO2其他纳米结构的场发射性能进行了比较。结果表明，直立SnO2纳米锥阵列具有增强的场发射性能，其在制备场发射器件方面有着潜在的应用。研究了不同尺寸SnO2纳米锥阵列的光电性能，结果表明尺寸小的锥具有更好的性能。
(2) SnO2纳米管阵列的制备
通过低温CVD法，以SnCl2·2H2O和ZnCl2的混合物(SnCl2·2H2O同ZnCl2质量比为1：12)为源物质，在马弗炉600 oC下反应1h，在FTO玻璃衬底上制备了高度取向的SnO2纳米管阵列。提出了可能的生长机理。
(3) SnO2纳米锥阵列用作光阳极构筑DSC
基于SnO2纳米锥阵列用作光阳极，N719为染料、含I3-/I-电子对的乙醇溶液为电解质，构筑了染料敏化太阳能电池。研究并测试了其I-V曲线，计算了其光电转化率。
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