题目：晶硅电池表面氧化铝钝化的研究

摘    要

 

本论文研究了晶硅太阳能电池表面氧化铝钝化。在论文中，以硅片的少子寿命为钝化效果的表征手段，通过正交试验的方法，找到了使用原子层沉积法生长氧化铝薄膜的较为优化的工艺条件。试验表明，氧化铝薄膜的厚度为15nm时能够获得较好的钝化效果，在15nm的氧化铝上叠加160nm的氮化硅之后钝化效果有显著提升。通过试验测算出氧化铝的生长速率为0.12nm/次。为了解决生长钝化薄膜之后串联电阻偏大的问题，本论文使用了激光开孔的方法。试验表明，使用线开孔的方式，在线宽40μm，线间距900μm的条件下可以获得较好的电池效率。本论文还讨论了各道工序对硅片质量的影响，钝化薄膜折射率对钝化效果的影响。对比了不同方法和不同的反应气体制备的氧化铝的钝化效果。